第106章 布局闪存(第5/8 页)
上面,这简直是痛并快乐着。
赵烨参观完晶圆厂之后,随后来到光刻机实验室。
黄昆带着秦国刚、王守武、王圩等数名技术大佬迎了过来。
“几位院士,你们好,在这里工作还顺心吗?”赵烨一脸关切的问道,语气简直要多真诚,有多真诚。
这些院士大佬们简直就是他的心肝宝贝。
国内光刻机技术能不能快速突破,就得看他们的了。
黄昆老院士笑着说道:“当然顺心,国内没有哪个地方比这里还好,什么也不要操心,一切都有专人伺候,我们只管研发就好了!”
赵烨点点头:“你们工作顺心就好,对了,黄院士,新一代光刻机的开发进度到什么程度了?”
黄昆院士笑了笑,回答道:“进度还不错,预计明年或许能够开发出新一代的光刻机,直追日本佳能和尼康的光刻机。”
顿了顿,黄昆院士侃侃而谈,仔细地为赵烨介绍道:“我们现在采用193nmarf激光光源,已经实现了光刻过程中,掩模和硅片的同步移动,并且采用了缩小投影镜头,缩小比例达到5:1,有效提升了掩模的使用效率和曝光精度,从而将芯片的制程和生产效率提升了一个台阶!”
赵烨对当下的光刻机以及芯片生产工艺也算比较了解,此刻听完黄昆院士的话,不由心头大喜。
干式光刻机到达193nm,就差不多到头了,想要再次突破,难度极大。前世,光刻机技术在20年内,几乎没有什么进步,都被困在这里,光学光刻技术似乎已经到了分辨率的“极限”。后来直到林本坚提出“浸润式光刻”这一具有颠覆性的技术之后,光刻机技术这才得到突破193nm。
无疆微电子公司只要开发出193nm光刻机,就跟佳能和尼康的光刻机技术相差不大了,反正之后20年,对方怎么也进步不了了。
反倒是无疆微电子公司研发浸润式光刻技术,实现弯道超车!
赵烨对众人鼓励一番,心情愉快地离开了。
……
日本。
雷克斯·艾登做好充分的调查准备之后,便开展行动。
在正式接触东芝公司之前,他先悄悄约nand闪存的发明者舛冈富士雄。
晚上7点钟,舛冈富士雄准时赴约。
雷克斯·艾登微笑着看着对方,开口道:“舛冈富士雄先生你好,我先做一下自我介绍,我叫雷斯克·艾登,目前正在为中国无疆集
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